Micron e Intel han anunciado la disponibilidad de la nueva memoria flash 3D NAND de alta densidad. La nueva memoria permite a los SSD-stick tamaño de las encías con más de 3,5 terabytes (TB) de almacenamiento y SSD estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB de almacenamiento.
La tecnología, desarrollada conjuntamente por las dos compañías, las pilas de capas de células de almacenamiento de datos en posición vertical con una precisión extraordinaria para crear dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces mayor que compiten tecnologías NAND. Esto permite más capacidad de almacenamiento en un espacio más pequeño, con lo que el ahorro de costes significativos, bajo consumo de energía y alto rendimiento.
Memoria flash planar NAND está llegando a sus límites de escala prácticos, lo que plantea importantes desafíos para la industria de la memoria. Tecnología 3D NAND está a punto de hacer un impacto dramático al mantener soluciones de almacenamiento flash alineados con la Ley de Moore, la trayectoria de mejoras de rendimiento continuo y ahorros de costos, conduciendo un uso más generalizado de almacenamiento flash.
Innovadora Arquitectura de Procesos
Uno de los aspectos más importantes de esta tecnología es en la propia celda de memoria fundacional. Intel y Micron optaron por utilizar una célula de puerta flotante, un diseño universalmente utilizado refinado a través de años de alto volumen de fabricación de flash plana. Este es el primer uso de una celda de puerta flotante en 3D NAND, que fue una elección de diseño clave para permitir un mayor rendimiento y aumento de la calidad y fiabilidad.
La nueva tecnología NAND 3D pilas de celdas flash verticalmente en 32 capas para lograr 256GB célula multinivel (MLC) y 384GB-level cell triple (TLC) morir que caben dentro de un paquete estándar. Estas capacidades pueden permitir a los SSD-stick tamaño de las encías con más de 3,5 TB de almacenamiento y unidades SSD estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB. Debido a que la capacidad se logra por el apilamiento de celdas verticalmente, las dimensiones celulares individuales pueden ser considerablemente más grande. Esto se espera que aumente el rendimiento y la resistencia y hacer que incluso el TLC diseños muy adecuado para el almacenamiento del centro de datos.
Las características principales de este diseño 3D NAND de productos incluyen:
● grandes capacidades: tres veces por la capacidad de la tecnología de seguimiento 3D existente 48GB de NAND por dado a habilitar tres cuartas partes de un terabyte para caber en un solo paquete-punta del dedo mediano.
● Reducción del coste por GB - Primera generación 3D NAND posee una arquitectura para lograr mejores eficiencias de costos que NAND plana.
● Rápido - Alta leer ancho de banda / escritura, velocidades de E / S y el rendimiento de lectura aleatoria.
● Verde - los modos de suspensión Nueva permiten el uso de baja potencia cortando la alimentación a la matriz NAND inactiva (incluso cuando otros mueren en el mismo paquete están activas), cayendo el consumo de energía de forma significativa en el modo de espera.
● Smart - nuevas características innovadoras mejoran la latencia y aumentar la resistencia a través de generaciones anteriores, y también hacen que la integración de sistemas más fácil.
Disponibilidad:
La versión de 256GB MLC del 3D NAND está muestreando con socios selectos hoy, y el diseño de 384GB TLC será el muestreo de esta primavera. La línea de producción fabulosa ya ha comenzado carreras iniciales, y ambos dispositivos estarán en plena producción en el cuarto trimestre de este año. Ambas compañías también están desarrollando líneas individuales de soluciones SSD basados en la tecnología NAND 3D y esperan que estos productos estén disponibles en el próximo año.
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