Intel y Micron han dado a conocer la tecnología 3D XPoint, un gran avance en la memoria no volátil y la primera nueva categoría de memoria flash NAND, ya se introdujo en 1989.
La explosión de los dispositivos conectados y servicios digitales está generando grandes cantidades de nuevos datos. Para que esta información útil, debe ser almacenada y analizada muy rápidamente, creando desafíos para los proveedores de servicios y fabricantes de sistemas que deben equilibrar los costos, potencia y rendimiento compensaciones cuando diseñan soluciones de memoria y almacenamiento. Tecnología 3D XPoint combina las ventajas de rendimiento, densidad, energía, no volatilidad y costo de todas las tecnologías de memoria disponibles en el mercado hoy en día. La tecnología es hasta 1.000 veces más rápido y tiene un máximo de 1.000 veces mayor resistencia que NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional.
"Durante décadas, la industria ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido", dijo Rob Crooke, vicepresidente senior y gerente general de no volátil Memory Solutions Group de Intel. "Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y que ofrece prestaciones de que cambia el juego para las soluciones de memoria y almacenamiento."
"Uno de los obstáculos más importantes en la informática moderna es el tiempo que tarda el procesador para llegar a los datos sobre el almacenamiento a largo plazo", dijo Mark Adams, presidente de Micron. "Esta nueva clase de memoria no volátil es una tecnología revolucionaria que permite un acceso rápido a enormes conjuntos de datos y permite aplicaciones completamente nuevas."
Nueva receta, Arquitectura para la Tecnología de Memoria de Breakthrough
Tras más de una década de investigación y desarrollo, la tecnología 3D XPoint fue construido desde cero para hacer frente a la necesidad de no volátil y de alto rendimiento, de alta resistencia y alta capacidad de almacenamiento y la memoria a un precio asequible. Se marca el comienzo de una nueva clase de memoria no volátil que reduce significativamente latencias, permitiendo muchos más datos a ser almacenados cerca del procesador y se accede a velocidades previamente imposibles para el almacenamiento no volátil.
El innovador, la arquitectura punto de cruce transistor menos crea un tablero de ajedrez tridimensional donde las células de memoria se sientan en la intersección de las líneas de palabras y líneas de bits, lo que permite a las células para dirigirse individualmente. Como resultado, los datos pueden ser escritos y leídos en tamaños pequeños, lo que lleva a más rápidos y más eficientes los procesos de lectura / escritura.
Disponibilidad:
Tecnología 3D XPoint tomará muestras a finales de este año con clientes selectos, e Intel y Micron están desarrollando productos individuales sobre la base de la tecnología.
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